Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 6-Pin US6

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RS Best.-Nr.:
236-3581
Herst. Teile-Nr.:
SSM6N7002KFU,LF(T
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

US6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-0.79V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.39nC

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2 mm

Länge

2.1mm

Höhe

0.9mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba Feldeffekttransistor besteht aus Siliziummaterial und hat einen N-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen eingesetzt.

Lagertemperaturbereich: -55 bis 150 °C.

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