Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 700 V / 12 A 63 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 236-3667
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R190CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stange mit 500 Stück)*
458,50 €
(ohne MwSt.)
545,50 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 500 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 1.000 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 500 + | 0,917 € | 458,50 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 236-3667
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R190CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 9.45mm | ||
Breite 4.57 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET mit integrierter, schneller Gehäusediode ist die perfekte Wahl für resonante Hochleistungs-Topologien. Er ist ideal für industrielle Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, Dies ermöglicht erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz. Er hat einen Abflussstrom von 12 A.
Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung
Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung
Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte
Hervorragende Lichtlasteffizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Verbesserte Volllast-Effizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Preiswettbewerbsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Angeboten auf dem Markt
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS E6 N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-220