Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 41 A 63 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 219-6007
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R225C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 120 | 1,764 € | 8,82 € |
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- 219-6007
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R225C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 225mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 15.95 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 225mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 15.95 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon CoolMOS C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der das weltweit niedrigste RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.
Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen
Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse
Niedrige Schaltverluste
Bessere Effizienz bei geringer Last
Erhöhung der Leistungsdichte
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