Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 41 A 63 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

10,80 €

(ohne MwSt.)

12,85 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 65 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 202,16 €10,80 €
25 - 451,944 €9,72 €
50 - 1201,814 €9,07 €
125 - 2451,684 €8,42 €
250 +1,576 €7,88 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
219-6007
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R225C7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

41A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

225mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Länge

10.36mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

15.95 mm

Höhe

4.57mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der das weltweit niedrigste RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.

Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen

Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse

Niedrige Schaltverluste

Bessere Effizienz bei geringer Last

Erhöhung der Leistungsdichte

Verwandte Links