Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 41 A 63 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
219-6006
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R225C7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

41A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

225mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Länge

10.36mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

15.95 mm

Höhe

4.57mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS C7 Superjunction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der das weltweit niedrigste RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.

Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solarwechselrichteranwendungen

Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse

Niedrige Schaltverluste

Bessere Effizienz bei geringer Last

Erhöhung der Leistungsdichte

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