Vishay Si4153DY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / -19.3 A 5.6 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 239-5362
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4153DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI4153DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -19.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | Si4153DY | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5.6W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -19.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie Si4153DY | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5.6W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von –19,3 A. Er wird für Adapterschalter, Stromüberwachung, Lastschalter verwendet.
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