Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET 800 V / 20 A 208 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 239-5383
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | EF | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.195Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 90nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie EF | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.195Ω | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 90nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 800 V Drain-Source-Spannung, 20 A Drain-Strom – SIHP24N80AEF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und -steuerung in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung für eine einfache Montage und Kühlkörperbefestigung geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine robuste Spannungsbeständigkeit und erhöhte Betriebstemperaturen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 20 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme • 0,195 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • Die Verlustleistung von 208 W ermöglicht eine höhere thermische Belastung • 90 nC typische Gate-Ladung erleichtert die Optimierung der Schaltleistung • Die maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C hält erhöhten thermischen Umgebungen stand
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen • Wird für Schaltnetzteile in Automatisierungsgeräten verwendet • Kann zur Leistungsregelung in elektrischen Schalttafeln verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen bei der Antriebsentwicklung beachtet werden?
Das Gerät erfordert Gate-Antriebsspannungen innerhalb von maximal ±30 V zwischen Gate und Quelle, um Gate-Überlastungen zu vermeiden.
Wie sollte das Wärmemanagement für einen dauerhaften Betrieb vorgegangen werden?
Verwenden Sie einen Kühlkörper, der an der TO-220AB-Fahne befestigt ist, und sorgen Sie für einen ausreichenden Luftstrom, um unter bestimmten Montage- und Kühlbedingungen eine Verlustleistung von bis zu 208 W zu bewältigen.
Welcher Temperaturbereich ist für den Einsatz in rauen Umgebungen akzeptabel?
Die Komponente arbeitet von -55 °C bis zu einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C, was den Einsatz in Baugruppen mit erhöhter Temperatur ermöglicht.
Gibt es Überlegungen zum Schalten der Drehzahl im Vergleich zur Antriebsenergie?
Die typische Gate-Ladung von 90 nC erfordert genügend Antriebsstrom, um die gewünschten Schaltzeiten zu erreichen und gleichzeitig die Gate-Antriebsenergie und EMI zu verwalten.
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