Vishay SIH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 20 A 208 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
239-5383
Herst. Teile-Nr.:
SIHP24N80AEF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

SIH

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.19Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Serie EF von Vishay hat einen Ablaufstrom von 20 A. Er wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schaltnetzteile (SMPS), Leistungsfaktorkorrekturnetzteile (PFC) verwendet.

Niedrige Leistungsanzeige (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste Nennleistung

Avalanche-Energie-Nennwert

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