STMicroelectronics STD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 70 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
239-6329
Herst. Teile-Nr.:
STD86N3LH5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

STD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

70W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

UL

Breite

6.2 mm

Höhe

2.4mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der STMicroelectronics MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mit STMicroelectronics' STripFET H5-Technologie entwickelt wurde. Dieses Gerät wurde optimiert, um einen sehr niedrigen Betriebswiderstand zu erreichen.

RDSon mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand

Hohe Lawinenbeständigkeit

Geringe Verlustleistung des Gate-Antriebs

30 V Vdss

80 A ID

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