Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 12.5 W, 4-Pin LFPAK56E

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RS Best.-Nr.:
240-1971
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R5-50YLHX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK56E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

12.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Nexperia MOSFET befindet sich im LFPAK56E-Gehäuse mit 200 A Dauerstrom, Logikebenensteuerung und N-Kanal-Anreichermodus. Der ASFET ist besonders geeignet für 36-V-Batterie-betriebene Anwendungen, die eine hohe Lawinenfähigkeit erfordern, Linearmodus pro

LFPAK56E spannungsarmes freiliegendes Kabelgestell für höchste Zuverlässigkeit, optimales Löten und einfache Lötverbindungsinspektion

Kupferklemme und Löteinsatz für niedrige Gehäuseinduktivität und Widerstand und hohe ID (max.)-Nennwerte

Zugelassen bis 175 °C

Für Lawinen ausgelegt, 100 % geprüft

Niedrige QG, QGD und QOSS für hohen Wirkungsgrad, besonders bei höheren Schaltfrequenzen

Superschnelles Schalten mit weicher Gehäuse-Dioden-Wiederherstellung für geringes Spiking und Klingeln, empfohlen für Designs mit niedriger EMI

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