Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W, 4-Pin LFPAK56E

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RS Best.-Nr.:
243-4873
Herst. Teile-Nr.:
PSMN3R5-80YSFX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK56E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia im LFPAK56E-Gehäuse ist ein Standard-Level-Gate-Antrieb, der für 175 °C zugelassen ist und für industrielle und Verbraucheranwendungen empfohlen wird.

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