Nexperia PSMN3R5-80YSFX N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 150 A, 4-Pin LFPAK56E
- RS Best.-Nr.:
- 243-4873
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R5-80YSFX
- Marke:
- Nexperia
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
2,626 €
(ohne MwSt.)
3,125 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,626 € | 13,13 € |
| 50 - 95 | 2,37 € | 11,85 € |
| 100 - 245 | 1,898 € | 9,49 € |
| 250 - 495 | 1,864 € | 9,32 € |
| 500 + | 1,568 € | 7,84 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 243-4873
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R5-80YSFX
- Marke:
- Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia im LFPAK56E-Gehäuse ist ein Standard-Level-Gate-Antrieb, der für 175 °C zugelassen ist und für industrielle und Verbraucheranwendungen empfohlen wird.
Niedriger Qrr für höheren Wirkungsgrad und geringere Spannungsspitzen
Niedriger QG x RDSon FOM für hocheffiziente Schaltanwendungen
Starke Lawinenenergie (Eas)
Lawinenbelastbarkeit und 100 % geprüft
Niedriger QG x RDSon FOM für hocheffiziente Schaltanwendungen
Starke Lawinenenergie (Eas)
Lawinenbelastbarkeit und 100 % geprüft
Synchron-Gleichrichter in AC-DC und DC-DC
Primärer Seitenschalter in DC-DC
BLDC-Motorsteuerung
USB-PD-Adapter
Vollbrücken- und Halbbrückenanwendungen
Flyback- und Resonanztopologien
Primärer Seitenschalter in DC-DC
BLDC-Motorsteuerung
USB-PD-Adapter
Vollbrücken- und Halbbrückenanwendungen
Flyback- und Resonanztopologien
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 150 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
| Gehäusegröße | LFPAK56E |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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