Nexperia PSMN2R0-55YLHX N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 200 A, 4-Pin LFPAK56E

Der N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Nexperia ist im LFPAK56E-Gehäuse untergebracht. Der ASFET ist besonders geeignet für 36-V-Batterie-betriebene Anwendungen, die eine starke Lawinenfähigkeit, lineare Modusleistung, den Einsatz bei hohen Schaltfrequenzen und auch einen sicheren Betrieb erfordern

Zugelassen bis 175 °C
Für Lawinen ausgelegt, 100 % geprüft
Niedrige QG, QGD und QOSS für hohen Wirkungsgrad, besonders bei höheren Schaltfrequenzen
Superschnelles Schalten mit weicher Gehäuse-Dioden-Wiederherstellung für geringes Spiking und Klingeln, empfohlen für Designs mit niedriger EMI
Einzigartige "SchottkyPlus"-Technologie für Schottky-Schaltleistung und geringe IDSS-Leckage
Schmale VGS(th)-Nennleistung für einfache Parallelschaltung und verbesserte Stromaufteilung
Sehr starke lineare/sichere Betriebsbereichseigenschaften für sicheres und zuverlässiges Schalten bei hohen Strombedingungen