Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 12.5 W, 4-Pin LFPAK56E

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RS Best.-Nr.:
240-1974
Herst. Teile-Nr.:
PSMN2R0-55YLHX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

LFPAK56E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

12.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Nexperia ist im LFPAK56E-Gehäuse untergebracht. Der ASFET ist besonders geeignet für 36-V-Batterie-betriebene Anwendungen, die eine starke Lawinenfähigkeit, lineare Modusleistung, den Einsatz bei hohen Schaltfrequenzen und auch einen sicheren Betrieb erfordern

Zugelassen bis 175 °C

Für Lawinen ausgelegt, 100 % geprüft

Niedrige QG, QGD und QOSS für hohen Wirkungsgrad, besonders bei höheren Schaltfrequenzen

Superschnelles Schalten mit weicher Gehäuse-Dioden-Wiederherstellung für geringes Spiking und Klingeln, empfohlen für Designs mit niedriger EMI

Einzigartige "SchottkyPlus"-Technologie für Schottky-Schaltleistung und geringe IDSS-Leckage

Schmale VGS(th)-Nennleistung für einfache Parallelschaltung und verbesserte Stromaufteilung

Sehr starke lineare/sichere Betriebsbereichseigenschaften für sicheres und zuverlässiges Schalten bei hohen Strombedingungen

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