Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

9,025 €

(ohne MwSt.)

10,75 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 28. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 250,361 €9,03 €
50 - 750,354 €8,85 €
100 - 2250,23 €5,75 €
250 - 9750,226 €5,65 €
1000 +0,118 €2,95 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
243-4862
Herst. Teile-Nr.:
PMV13XNEAR
Marke:
Nexperia
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Verbesserungsmodus-Feld-Effekt-Transistor (FET) von Nexperia in einem kleinen SOT23-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Niedrige Schwellenspannung

Erweiterter Temperaturbereich Tj = 175 °C

Trench MOSFET-Technologie

Sehr schnelles Schalten

DC/DC-Umwandlung

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

Low-Side-Lastschalter

Schaltkreise

Verwandte Links