Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 330 A 171 W, 8-Pin ISC010N06NM5 SuperSO8 5 x 6

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240-6375
Herst. Teile-Nr.:
ISC010N06NM5
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

330A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Serie

ISC

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

171W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOSTM 5 Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET 60 V, 1,05 mΩ, 330 A in einem SSO8-Gehäuse. Der 60-V-Leistungs-MOSFET OptiMOSTM 5 von Infineon in SuperSO8-Gehäuse ISC010N06NM5 bietet einen niedrigen RDS-Widerstand im eingeschalteten Zustand bei 25 ̊C und 175 ̊C sowie einen hohen Dauerstrom von bis zu 330 A. Die OptiMOSTM-MOSFETs in SuperSO8-Gehäuse von Infineon erweitern das Produktportfolio OptiMOSTM 3 und 5 und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte neben verbesserter Robustheit und erfüllen den Bedarf an niedrigeren Systemkosten und erhöhter Leistung. Niedrige umgekehrte Wiederherstellungsladung Qrr verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine erhebliche Reduzierung des Spannungsüberstands, was den Bedarf an Dämpfungsstromkreisen minimiert, das wiederum zu weniger technischen Kosten und Aufwand führt.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

100 % Avalanchegeprüft

Überlegener Wärmewiderstand

N-Kanal

175 °C verpackt

Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Höhere Zuverlässigkeit von Lötverbindungen durch erweiterte Quellenverbindung

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