Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 179 A 75 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
235-4866
Herst. Teile-Nr.:
ISC030N10NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

179A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

ISC

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

75W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

1.1 mm

Länge

3.8mm

Höhe

4.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.

Geringere und weichere Rückgewinnungsladung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Hohe Lawinenenergie

RoHS-konform

Geringe Leitungsverluste

Niedrige Schaltverluste

Umweltfreundlich

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