Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 97 A 125 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 235-4868
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC060N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- ISC060N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 97A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ISC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 1.2mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 97A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ISC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 1.2mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon ISC-Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 97 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – ISC060N10NM6ATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Hochstromschalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die einen hohen Ableitstrom und eine hohe Spannungsfähigkeit bei Verwendung eines kompakten Gehäuses erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ableiterspannung von 100 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 97 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Maximale Rds(on) von 6 mΩ minimiert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• Die maximale Gate-Source-Bewertung von 20 V schützt vor Überdrehungsereignissen
• 97 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Maximale Rds(on) von 6 mΩ minimiert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 33 nC ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• Die maximale Gate-Source-Bewertung von 20 V schützt vor Überdrehungsereignissen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-Leistungswandler in industriellen Systemen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
• Einsatz mit Motortreibern, die eine robuste Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
• Einsatz mit Motortreibern, die eine robuste Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen
Welche Umgebungstemperaturen kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Leiterplattenmontage und die thermische Verlegung aus?
Das oberflächenmontierbare TDSON-Gehäuse mit acht Stiften erleichtert die automatische Platzierung und die thermische Verbindung mit Leiterplattenkupfer zur Wärmeableitung.
Welche Gate-Drive-Bedenken ergeben sich aus der Gate-Ladung?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 33 nC sollten Entwickler den Treiberstrom so dimensionieren, dass die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten erreicht werden und gleichzeitig die Schaltverluste verwaltet werden.
Welche elektrischen Grenzwerte müssen eingehalten werden, um Schäden am Gerät zu verhindern?
Das Gerät darf nicht Gate-Source-Differenzen über 20 V und Drain-Source-Spannungen über 100 V ausgesetzt sein.
Wie wirkt sich der Kanaltyp auf das Schaltverhalten aus?
Als N-Kanal-Gerät bietet es einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand für High-Side- oder Low-Side-Schaltvorgänge, bei denen ein geringer Leitungsverlust erforderlich ist.