Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 75 A 100 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
235-4870
Herst. Teile-Nr.:
ISC080N10NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

ISC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.05mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.2 mm

Länge

6.1mm

Höhe

5.35mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.

Geringere und weichere Rückgewinnungsladung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Hohe Lawinenenergie

RoHS-konform

Geringe Leitungsverluste

Niedrige Schaltverluste

Umweltfreundlich

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