Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 100 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 235-4873
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC230N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 120 | 0,926 € | 4,63 € |
| 125 - 245 | 0,864 € | 4,32 € |
| 250 - 495 | 0,804 € | 4,02 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-4873
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC230N10NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.05mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.05mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Breite 1.2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.
Geringere und weichere Rückgewinnungsladung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Hohe Lawinenenergie
RoHS-konform
Geringe Leitungsverluste
Niedrige Schaltverluste
Umweltfreundlich