Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 230 A 245 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 235-4862
Herst. Teile-Nr.:: ISC022N10NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon ISC N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 230 A 245 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:: 235-4862
Herst. Teile-Nr.:: ISC022N10NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	230A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	ISC
	Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.24mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	245W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	91nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.1mm
	Höhe	5.1mm
	Länge	6.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie ISC
	Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.24mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 245W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 91nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.1mm
	Höhe 5.1mm
	Länge 6.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISC022N10NM6ATMA1

Infineon ISC-Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 230 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – ISC022N10NM6ATMA1

Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Halbleitergerät, das für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Leistungsanwendungen vorgesehen, die eine robuste Ablassspannung und einen hohen kontinuierlichen Ablassstrom erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 100 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 230 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Niedriger RDS(on) von 2,24 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Maximale Verlustleistung von 245 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 91 nC ermöglicht effiziente Schaltübergänge
• 20 V Gate-Source-Grenzwert gewährleistet Kompatibilität mit gängigen Antriebsspannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochleistungs-DC/DC-Wandler in industriellen Systemen
• Ideal für Server- und Telekommunikations-Stromverteilungsmodule
• Wird mit Motorsteuerungen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für das Batteriemanagement in Hochstromsystemen verwendet werden
• Geeignet für Leistungsstufen in Wechselrichtern und Schweißsteuerungen

In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?

Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C in einer Vielzahl von thermischen Umgebungen.

Welcher Gehäusetyp wird für die Oberflächenmontage verwendet?

Er wird in einem 8-poligen SuperSO8 5 x 6-mm-Gehäuse für die Oberflächenmontage für kompakte Leiterplatten-Layouts geliefert.

Wie hoch ist die Durchlassspannung während der Leitung?

Das Gerät weist unter bestimmten Leitungsbedingungen eine Durchlassspannung von 1 V auf.

Wie viele Stifte sind für Leiterplatten-Footprint-Design verfügbar?

Das Gehäuse verfügt über eine 8-polige Konfiguration für Gate-, Drain- und Quellenanschlüsse.

Welche Kanalpolarität nutzt er für das Schalten?

Es verfügt über einen N-Typ-Kanal, der für Low-Side- und High-Side-Schalttopologien geeignet ist.