Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 230 A 245 W, 8-Pin ISC022N10NM6ATMA1 SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 235-4862
Herst. Teile-Nr.:: ISC022N10NM6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 230 A 245 W, 8-Pin ISC022N10NM6ATMA1 SuperSO8 5 x 6

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Herst. Teile-Nr.:: ISC022N10NM6ATMA1
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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	230A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	ISC
	Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.24mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	245W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	91nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	1.1 mm
	Höhe	5.1mm
	Länge	6.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie ISC
	Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.24mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 245W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 91nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 1.1 mm
	Höhe 5.1mm
	Länge 6.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - ISC022N10NM6ATMA1

OptiMOSTM 6 Leistungs-MOSFET 100 V Normalpegel in SuperSO8-Gehäuse

Der ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 mit 100 V im Normalbereich setzt den neuen Technologiestandard auf dem Gebiet der diskreten Leistungs-MOSFETs. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende dünne Wafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.

Der industrielle 100-V-Leistungs-MOSFET OptiMOSTM 6 von Infineon wurde für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz wie Telekommunikation und Server-Stromversorgung entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen.

Im SuperSO8-Gehäuse erreicht er ∼20 % Verbesserungen des Widerstands im eingeschalteten Zustand (RDS(on)) und 30 % bessere Werte (FOM - RDS(on) x Qg und Qgd) im Vergleich zur vorherigen Technologie OptiMOSTM 5. Dadurch können Entwickler den Wirkungsgrad erhöhen, was ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelbetrieb ermöglicht, was zu einer Senkung der Systemkosten führt.

Zusammenfassung der Merkmale

Im Vergleich zu OptiMOSTM 5 erreicht die neue Technologie:

•∼20 % niedrigerer RDS(ein)

•30 % verbesserter FOMg und 40 % besserer FOMgd

•Geringere und weichere umgekehrte Erholungsladung (Qrr)

•Ideal für hohe Schaltfrequenzen

•MSL 1 gemäß J-STD-020

•Anschlusstemperatur: 175 °C

•Hohe Lawinenenergie

•Bleifreie Leitungsbeschichtung

•CE-Kennzeichnung

Vorteile

•Geringe Leitungsverluste

•Niedrige Schaltverluste

•Schnelles Ein- und Ausschalten

•Weniger Parallelschaltung erforderlich

•Robuste, zuverlässige Leistung

•Umweltfreundlich