Infineon ISC022N10NM6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 230 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Der ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 mit 100 V im Normalbereich setzt den neuen Technologiestandard auf dem Gebiet der diskreten Leistungs-MOSFETs. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende dünne Wafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.
Der industrielle 100-V-Leistungs-MOSFET OptiMOSTM 6 von Infineon wurde für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz wie Telekommunikation und Server-Stromversorgung entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen.
Im SuperSO8-Gehäuse erreicht er ∼20 % Verbesserungen des Widerstands im eingeschalteten Zustand (RDS(on)) und 30 % bessere Werte (FOM - RDS(on) x Qg und Qgd) im Vergleich zur vorherigen Technologie OptiMOSTM 5. Dadurch können Entwickler den Wirkungsgrad erhöhen, was ein einfacheres thermisches Design und weniger Parallelbetrieb ermöglicht, was zu einer Senkung der Systemkosten führt.

Im Vergleich zu OptiMOSTM 5 erreicht die neue Technologie:
•∼20 % niedrigerer RDS(ein)
•30 % verbesserter FOMg und 40 % besserer FOMgd
•Geringere und weichere umgekehrte Erholungsladung (Qrr)
•Ideal für hohe Schaltfrequenzen
•MSL 1 gemäß J-STD-020
•Anschlusstemperatur: 175 °C
•Hohe Lawinenenergie
•Pb-freie Bleiplattierung
•RoHS-konform

•Geringe Leitungsverluste
•Niedrige Schaltverluste
•Schnelles Ein- und Ausschalten
•Weniger Parallelschaltung erforderlich
•Robuste, zuverlässige Leistung
•Umweltfreundlich
•Weniger Parallelschaltung erforderlich