- RS Best.-Nr.:
- 240-6639
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE065N10NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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---|---|---|
5000 + | 1,264 € | 6.320,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 240-6639
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE065N10NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon OptiMOSTM 5 100 V PQFN 3.3x3.3 Source-Down bietet 100 V und einen niedrigen RDS(on) von 6,5 mOhm. Er bietet mehrere Vorteile, wie z. B. eine höhere thermische Leistungsfähigkeit, eine höhere Leistungsdichte oder verbesserte Layout-Möglichkeiten. Darüber hinaus sind die höhere Effizienz, der geringere Bedarf an aktiver Kühlung und das effektive Layout für das Wärmemanagement Vorteile auf Systemebene.
Verbesserte PCB-Verluste
Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung
Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 85 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | PQFN 3 x 3 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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