Microchip MSC080SMA120B Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 26 A 1.6 W TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

11,23 €

(ohne MwSt.)

13,36 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
1 - 411,23 €
5 - 911,02 €
10 - 9910,79 €
100 +10,31 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
241-9271
Herst. Teile-Nr.:
MSC080SMA120B
Marke:
Microchip
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Microchip

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

MSC080SMA120B

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8Ω

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Micro semi erhöht die Leistung gegenüber Silizium-MOSFETs und Silizium-IGBT-Lösungen bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für Hochspannungsanwendungen.

Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand

Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur TJ(max.) von 175 °C

chnell und zuverlässige Gehäusediode

Überlegene Avalanche-Robustheit,

RoHS-konform

Verwandte Links