Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 241-9680
Herst. Teile-Nr.:: BSZ040N06LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Zwischensumme (5000 Stück, auf einer Rolle mit 5000)*

2.605,00 €

(ohne MwSt.)

3.100,00 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

5.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	0,521 €	2.605,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 241-9680
Herst. Teile-Nr.:: BSZ040N06LS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	212A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
	Serie	BSZ
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6
	Serie BSZ
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ040N06LS5ATMA1

MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 212 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ040N06LS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Umgebungstemperaturbereich und ist für Designs vorgesehen, die geringe Leitungsverluste und einen hohen kontinuierlichen Ablassstrom in einem kompakten Gehäuse erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 0,7 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Hochstrombetrieb
• 212 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Maximale Verlustleistung von 81 W bewältigt thermische Belastungen in Arbeitszyklen
• Die Durchlassspannung von 1,2 V verbessert die Effizienz in synchrone Schaltkreisen
• Typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• 20-V-Gate-Schutz verhindert übermäßige Gate-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-Leistungsumwandlungsmodule
• Ideal für synchrone DC/DC-Abwärtswandler
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Ablassstrom erfordern
• Kann für Server-Stromverteilungseinheiten verwendet werden
• Geeignet für allgemeine oberflächenmontierte Schaltvorgänge in Netzteilen

Welchen thermischen Bereich kann er während des Betriebs tolerieren?

Er kann in einem breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben werden.

Welches Gehäuse und Montageformat wird verwendet?

Er wird in einem kompakten SuperSO8 5x6-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.

Welche Spannungsgrenzen gelten zwischen Drain und Quelle?

Die maximale Drain-Source-Spannung, der er standhalten kann, beträgt 60 V.

Wie hält das Gate Eingangstransienten stand?

Das Gerät begrenzt die Gate-Exkursion auf eine maximale Gate-Source-Spannung von 20 V.

Entspricht es den gängigen Umweltbeschränkungen?

Es ist zugelassen, um die RoHS-Anforderungen zu erfüllen.