Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 241-9682
Herst. Teile-Nr.:: BSZ075N08NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:: 241-9682
Herst. Teile-Nr.:: BSZ075N08NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	212A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	BSZ
	Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie BSZ
	Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ075N08NS5ATMA1

MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 212 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ075N08NS5ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Halbleitergerät für Schalt- und Leistungsregelungsfunktionen in industriellen und gewerblichen elektronischen Systemen. Es ist für den Betrieb über einen breiten Temperaturbereich ausgelegt und unterstützt die Oberflächenmontage in kompakten Gehäusen, was geringe Leitungsverluste und effizientes Schalten für anspruchsvolle Stromanwendungen ermöglicht.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand reduziert Leitungsverluste bei schweren Lasten
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt einen erheblichen Stromfluss
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastbarkeit
• 80 nC typische Gate-Ladung unterstützt Gate-Drive-Designentscheidungen
• Die Gate-Toleranz von 20 V sorgt für Flexibilität bei der Auswahl der Antriebsspannung

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenbeine in der Leistungselektronik
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Verteilungssysteme verwendet werden
• Geeignet für Schaltelemente in Server-Stromversorgungsschienen

Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?

Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit breiten Temperaturen.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Wahl des Leiterplattenlayouts aus?

Das oberflächenmontierte SuperSO8 5x6-Gehäuse erfordert eine thermische und Footprint-Planung, um die Wärme- und Strompfade auf der Platine zu verwalten.

Welche elektrischen Eigenschaften bestimmen die Leitfähigkeit?

Der maximale Drain-Source-Widerstand von 0,7 mΩ wirkt sich direkt auf die Leitungsverluste bei hohen Strömen aus.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Schaltleistung aus?

Die typische Gate-Ladung von 80 nC bestimmt die Gate-Antriebsenergie und die Übergangsgeschwindigkeit beim Schalten.

Gibt es Umwelt- oder gesetzliche Beschränkungen, die berücksichtigt werden müssen?

Die Komponente erfüllt die RoHS-Anforderungen, die bestimmte gefährliche Stoffe in der Montage einschränken.