Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
241-9682
Herst. Teile-Nr.:
BSZ075N08NS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

212A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

BSZ

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-MOSFET hat 80 V Ablassquellenspannung (VDS) und 73 A Ablassstrom (ID). Er bietet eine Reduzierung der RDS(on) von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen, Regler usw. geeignet. Es wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Darüber hinaus kann er auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solarenergie, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.

Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung.

Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler,

Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM),

sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on),

100 % Avalanche geprüft,

N-Kanal, Normalpegel,

qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen,

bleifreie Leiterbeschichtung,

RoHS-konform,

halogenfrei gemäß IEC61249-2-21,

höhere Zuverlässigkeit von Lötverbindungen durch erweiterte Quellenverbindung

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