Infineon BSZ075N08NS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 73 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-MOSFET hat 80 V Ablassquellenspannung (VDS) und 73 A Ablassstrom (ID). Er bietet eine Reduzierung der RDS(on) von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen, Regler usw. geeignet. Dieser MOSFET wurde speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Darüber hinaus kann er auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solarenergie, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.

Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung.
Optimierte Technologie für DC/DC-Wandler,
Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM),
sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on),
100 % Avalanche geprüft,
N-Kanal, Normalpegel,
qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen,
bleifreie Leiterbeschichtung,
RoHS-konform,
halogenfrei gemäß IEC61249-2-21,
höhere Zuverlässigkeit von Lötverbindungen durch erweiterte Quellenverbindung