Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 241-9683
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (5 Stück, in einer Packung mit 5)*
9,72 €
(ohne MwSt.)
11,57 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 14.155 Einheit(en) mit Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,944 € | 9,72 € |
| 50 - 120 | 1,752 € | 8,76 € |
| 125 - 245 | 1,634 € | 8,17 € |
| 250 - 495 | 1,514 € | 7,57 € |
| 500 + | 1,418 € | 7,09 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9683
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 212A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 212 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ075N08NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Halbleitergerät für Schalt- und Leistungsregelungsfunktionen in industriellen und gewerblichen elektronischen Systemen. Es ist für den Betrieb über einen breiten Temperaturbereich ausgelegt und unterstützt die Oberflächenmontage in kompakten Gehäusen, was geringe Leitungsverluste und effizientes Schalten für anspruchsvolle Stromanwendungen ermöglicht.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand reduziert Leitungsverluste bei schweren Lasten
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt einen erheblichen Stromfluss
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastbarkeit
• 80 nC typische Gate-Ladung unterstützt Gate-Drive-Designentscheidungen
• Die Gate-Toleranz von 20 V sorgt für Flexibilität bei der Auswahl der Antriebsspannung
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt einen erheblichen Stromfluss
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Leistungsstufen mit mittlerer Spannung
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastbarkeit
• 80 nC typische Gate-Ladung unterstützt Gate-Drive-Designentscheidungen
• Die Gate-Toleranz von 20 V sorgt für Flexibilität bei der Auswahl der Antriebsspannung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenbeine in der Leistungselektronik
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Verteilungssysteme verwendet werden
• Geeignet für Schaltelemente in Server-Stromversorgungsschienen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenbeine in der Leistungselektronik
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Verteilungssysteme verwendet werden
• Geeignet für Schaltelemente in Server-Stromversorgungsschienen
Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?
Es ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit breiten Temperaturen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Wahl des Leiterplattenlayouts aus?
Das oberflächenmontierte SuperSO8 5x6-Gehäuse erfordert eine thermische und Footprint-Planung, um die Wärme- und Strompfade auf der Platine zu verwalten.
Welche elektrischen Eigenschaften bestimmen die Leitfähigkeit?
Der maximale Drain-Source-Widerstand von 0,7 mΩ wirkt sich direkt auf die Leitungsverluste bei hohen Strömen aus.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Schaltleistung aus?
Die typische Gate-Ladung von 80 nC bestimmt die Gate-Antriebsenergie und die Übergangsgeschwindigkeit beim Schalten.
Gibt es Umwelt- oder gesetzliche Beschränkungen, die berücksichtigt werden müssen?
Die Komponente erfüllt die RoHS-Anforderungen, die bestimmte gefährliche Stoffe in der Montage einschränken.
Verwandte Links
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Typ P-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon IPZ Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6