Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W, 3-Pin SOT-23

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243-4864
Herst. Teile-Nr.:
PMV50XNEAR
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Verbesserungsmodus-Feld-Effekt-Transistor (FET) von Nexperia in einem kleinen SOT23-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Niedrige Schwellenspannung

Erweiterter Temperaturbereich Tj = 175 °C

Trench MOSFET-Technologie

Sehr schnelles Schalten

DC/DC-Umwandlung

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

Low-Side-Lastschalter

Schaltkreise

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