Infineon HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2 MOSFET -55 V / 4.7 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
243-9287
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF7343QTR
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.11mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Infineon AUIRF7343QTR wurde speziell für Automotive-Anwendungen entwickelt. Diese HEXFET® Power-MOSFETs in einem Dual-SO-8-Gehäuse nutzen die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser für die Automobilindustrie qualifizierten HEXFET-Leistungs-MOSFETs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 150 °C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate.

Fortschrittliche Planartechnologie

Ultrageringer On-Widerstand

Logic Level Gate Drive

Dual N- und P-Kanal MOSFET

Oberflächenmontage

Erhältlich in Tape und Reel

150 °C Betriebstemperatur

Bleifrei, RoHS-konform

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