Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD50N10S3L16ATMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD50N10S3L16ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET OptiMOSTM Leistungstransistor von Infineon ist ein umweltfreundliches Produkt, RoHS-konform und Automotive AEC Q101-qualifiziert.

N-Kanal – Verbesserungsmodus

MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow

175 °C Betriebstemperatur

100 % Lawinengeprüft

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