Infineon IAUT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin IAUT300N08S5N014ATMA1 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IAUT300N08S5N014ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IAUT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon-MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieses zellulare Planar-Design der HEXFET®-Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.

N-Kanal – Verbesserungsmodus,

AEC-qualifiziert

MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow,

175 °C Betriebstemperatur

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