Infineon IAUT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 244-0893
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUT300N08S5N014ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
4,36 €
(ohne MwSt.)
5,19 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 26 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- Zusätzlich 3.985 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,36 € |
| 10 - 24 | 4,14 € |
| 25 - 49 | 3,96 € |
| 50 - 99 | 3,79 € |
| 100 + | 3,53 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-0893
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUT300N08S5N014ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IAUT | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IAUT | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon-MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieses zellulare Planar-Design der HEXFET®-Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.
N-Kanal – Verbesserungsmodus,
AEC-qualifiziert
MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow,
175 °C Betriebstemperatur
Verwandte Links
- Infineon IAUT Typ N-Kanal 8-Pin TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung / 120 A TO-263
- Infineon IAUT Typ N-Kanal 8-Pin HSOF
- Infineon IAUT Typ N-Kanal 8-Pin HSOF
- Infineon IAUT Typ N-Kanal 8-Pin HSOF
- Infineon IAUT Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-263
- Infineon iPB Typ N-Kanal 3-Pin TO-263