Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 400 A 81 W, 8-Pin HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
244-0909
Herst. Teile-Nr.:
IPT60R040S7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

400A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

HSOF-8

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der IPT60R040S7 von Infineon ermöglicht das beste Preis-Leistungs-Verhältnis für niederfrequente Schaltanwendungen. CoolMOS™ S7 weist die niedrigsten Rdson-Werte für einen HV-SJ-MOSFET auf, mit einer deutlichen Steigerung der Energieeffizienz.

CoolMOSTM S7-Technologie ermöglicht 22 mΩ RDS(on) in der kleinsten Abmessung

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