Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD30N12S3L31ATMA1 TO-252

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RS Best.-Nr.:
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Herst. Teile-Nr.:
IPD30N12S3L31ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET OptiMOSTM Leistungs-MOSFET von Infineon für Kfz-Anwendungen ist ein umweltfreundliches Produkt, RoHS-konform und Automotive AEC Q101-qualifiziert.

N-Kanal – Verbesserungsmodus

MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow

175 °C Betriebstemperatur

100 % Lawinengeprüft

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