Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 244-8550
Herst. Teile-Nr.:: IPD80R450P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:: 244-8550
Herst. Teile-Nr.:: IPD80R450P7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	75V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 75V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD80R450P7ATMA1

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 75 V Drain-Source-Spannung, 180 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD80R450P7ATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Leistungstransistor mit drei Leitungen, der für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Bedingungen und eignet sich, wenn geringe Leitungsverluste und ein robuster Gate-Schutz erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 75 V ermöglicht den Einsatz in Mittelspannungsdesigns
• 180 A Dauerstrom unterstützt schwere Schaltvorgänge
• Niedrige Rds(on) von 3 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 81 W Verlustleistung ermöglicht einen Betrieb mit hoher Leistung
• 80 nC typische Gate-Ladung unterstützt schnelle Schaltsteuerung
• Gate-Toleranz von 20 V bietet Gate-Überspannungsschutz

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Power-Management-Module
• Ideal für synchrone Buck-Wandler-Konstruktionen
• Wird für Hochstrom-Motorantriebsstufen verwendet
• Kann für Telekommunikations-Stromverteilungseinheiten verwendet werden
• Einsatz mit Batteriemanagement- und Energiespeichersystemen

Welchen thermischen Extremen kann er standhalten?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C unter bestimmten Bedingungen ausgelegt.

Wie ist es für die Leiterplattenmontage verpackt?

Er wird in einem oberflächenmontierten TO-252-Gehäuse für die Lötmontage geliefert.

Welche Gate-Antriebsaspekte gelten?

Das Gate kann bis zu 20 V tolerieren und weist eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 80 nC für die Antriebsgröße auf.

Entspricht es den Zuverlässigkeitsstandards der Automobilindustrie?

Er erfüllt die AEC-Q101-Anforderungen für die Qualifizierung von Automobilkomponenten.

Gibt es Einzelheiten zur Einhaltung der Umweltvorschriften?

Das Gerät ist RoHS-konform und schränkt gefährliche Stoffe ein.