onsemi NTM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 1200 V / 58 A 117 W, 5-Pin NTMFS5C645NT1G DFN

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Herst. Teile-Nr.:
NTMFS5C645NT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTM

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor MOSFET-Ablass-zu-Quell-Spannung beträgt 60 V und die Gate-Quelle-Spannung ±20 V.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform

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