Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD60R145CFD7ATMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD60R145CFD7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon IPD60R145CFD7ATMA1 600 V CoolMOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die CoolMOS 7-Serie vervollständigt. Der CoolMOS CFD7 verfügt über eine reduzierte Gate-Ladung (Qg), ein verbessertes Abschaltverhalten und eine umgekehrte Erholungsladung (Qrr), die im Vergleich zur Konkurrenz um bis zu 69 % niedriger ist, sowie die niedrigste umgekehrte Erholungszeit (trr) auf dem Markt hat.

Ultraschnelle Gehäusediode

Klassenbeste umgekehrte Erholungsladung (Qrr)

Verbesserte umgekehrte Diode dv/dt- und diff/dt-Robustheit

Niedrigste FOM RDS(on) x Qg und EOSS

Klassenbeste RDS (on) x Qg/Paketkombination

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