Wolfspeed C3M0021120K N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 100 A, 4-Pin TO 247
- RS Best.-Nr.:
- 248-8925P
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0021120K
- Marke:
- Wolfspeed
30 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (in Stange(n))
33,42 €
(ohne MwSt.)
39,77 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 2 - 4 | 33,42 € |
| 5 - 9 | 31,77 € |
| 10 - 14 | 30,15 € |
| 15 + | 28,64 € |
- RS Best.-Nr.:
- 248-8925P
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0021120K
- Marke:
- Wolfspeed
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Wolfspeeds Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET C3MTM MOSFET-Technologie bietet den N-Kanal-Enhancement-Modus. Wolfspeeds Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs sind eine Reihe von SiC-MOSFETs der zweiten Generation von Crees Leistungsabteilung Wolfspeed, die eine branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bieten. Diese Geräte mit geringer Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und haben einen geringeren Kühlungsbedarf, was die Betriebseffizienz des Gesamtsystems verbessert
siC-MOSFET-Technologie der 3. Generation
Niederohmiges Gehäuse mit Treiber-Source-Pin
8 mm Kriechstrecke zwischen Drain und Source
Hohe Sperrspannung mit geringem Durchlasswiderstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit mit geringen Kapazitäten
Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückwärtserholung (Qrr)
Halogenfrei, RoHS-konform
Niederohmiges Gehäuse mit Treiber-Source-Pin
8 mm Kriechstrecke zwischen Drain und Source
Hohe Sperrspannung mit geringem Durchlasswiderstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit mit geringen Kapazitäten
Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückwärtserholung (Qrr)
Halogenfrei, RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
| Gehäusegröße | TO 247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 4 |