STMicroelectronics STP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 245 W, 3-Pin STP60N043DM9 TO-220

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248-9687
Herst. Teile-Nr.:
STP60N043DM9
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

STP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

245W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.6mm

Normen/Zulassungen

UL

Breite

10.4 mm

Länge

28.9mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Produkt von STMicroelectronics ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativsten Super Junction MDmesh DM9-Technologie, geeignet für Mittel- oder Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS pro Fläche, gekoppelt mit einer schnellen Erholungsdiode. Die siliziumbasierte DM9-Technologie profitiert von einem Mehrfachdrain-Herstellungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Die schnelle Erholungsdiode mit sehr niedriger Erholungsladung, Zeit und RDS-Einschaltung macht diesen schnell schaltenden Super-Steckverbindungs-Leistungs-MOSFET für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler maßgeschneidert.

Schnell erholende Körperdiode

Weltweit beste RDS-Körperdiode für schnelle Erholung pro Bereich unter siliziumbasierten schnellen Erholungsgeräten

Geringe Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100 Prozent Lawinengeprüft

Extreme dv/dt-Robustheit

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