Infineon IMBF Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 64 A 81 W, 7-Pin IMBF170R450M1XTMA1 TO-263

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249-6950
Herst. Teile-Nr.:
IMBF170R450M1XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IMBF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Siliziumkarbid-MOSFET von Infineon reduziert die Systemkomplexität. Er wird direkt vom Fly-Back-Controller gesteuert. Verbesserung der Effizienz und Verringerung des Kühlungsaufwands. Ermöglicht eine höhere Frequenz.

Revolutionäres Halbleitermaterial – Siliziumkarbid

Optimiert für Fly-Back-Topologien

12 V/0 V Gate-Quellen-Spannung, kompatibel mit den meisten Fly-Back-Controllern

Sehr geringe Schaltverluste

Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4,5 V

Vollständig steuerbare dV/dt für EMI-Optimierung

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