Infineon BSP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 0.12 A 81 W, 3-Pin BSP125H6433XTMA1 SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 250-0528
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP125H6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
2,49 €
(ohne MwSt.)
2,965 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 3.935 Einheit(en) mit Versand ab 30. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,498 € | 2,49 € |
| 50 - 120 | 0,43 € | 2,15 € |
| 125 - 245 | 0,40 € | 2,00 € |
| 250 - 495 | 0,368 € | 1,84 € |
| 500 + | 0,344 € | 1,72 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0528
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP125H6433XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | BSP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie BSP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons Small Signal N-Kanal-Produkte sind für Automobilanwendungen geeignet. Dieser SIPMOS-Leistungstransistor ist ein N-Kanal-Leistungstransistor im Enhancement-Modus mit einer Vds von 600 V, einem Rds(on) von 45 Ω und einem Id von 0,12 A. Er ist für dv/dt ausgelegt.
Pb-freie Bleibeschichtung
Maximale Verlustleistung ist 360 mW