Infineon BSR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.7 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 250-0539
- Herst. Teile-Nr.:
- BSR802NL6327HTSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
438,00 €
(ohne MwSt.)
522,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 26. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,146 € | 438,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,139 € | 417,00 € |
| 9000 + | 0,132 € | 396,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0539
- Herst. Teile-Nr.:
- BSR802NL6327HTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | BSR | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie BSR | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Optimos 2 Small-Signal-Transistor wird von Infineon hergestellt. Es handelt sich um einen P-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus, der häufig in Anwendungen mit hohem Schaltvermögen eingesetzt wird. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei.
Logikpegel (4,5 V Nennspannung)
Avalanche-getestet und 100 % bleifrei
Maximale Verlustleistung 360 mW