Infineon BSP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 0.68 A 81 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
250-0535
Herst. Teile-Nr.:
BSP316PH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

BSP

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon stellt diesen SIPMOS, Small-Signal-Transistor P-Kanal, Enhancement-Modus Mosfet her. Das Teil ist ein dv/dt-bewerteter P-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus, der häufig in Anwendungen mit hohem Schaltvermögen eingesetzt wird. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei.

Vds ist 100 V, RDS(on) 1,8 Ω und Id ist 0,68 A

Maximale Verlustleistung ist 360 mW

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