Infineon BSP316PH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 680 mA, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 250-0535
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP316PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)
0,281 €
(ohne MwSt.)
0,334 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,281 € | 281,00 € |
| 2000 - 2000 | 0,267 € | 267,00 € |
| 3000 + | 0,25 € | 250,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 250-0535
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP316PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Infineon stellt diesen SIPMOS, Small-Signal-Transistor P-Kanal, Enhancement-Modus Mosfet her. Das Teil ist ein dv/dt-bewerteter P-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus, der häufig in Anwendungen mit hohem Schaltvermögen eingesetzt wird. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei.
Vds ist 100 V, RDS(on) 1,8 Ω und Id ist 0,68 A
Maximale Verlustleistung ist 360 mW
Maximale Verlustleistung ist 360 mW
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 680 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | SOT-223 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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