Infineon BSP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -100 V / 680 mA 81 W, 3-Pin SOT-223

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250-0536
Distrelec-Artikelnummer:
304-40-496
Herst. Teile-Nr.:
BSP316PH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

680mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

-100V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

BSP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1800mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon stellt diesen SIPMOS, Small-Signal-Transistor P-Kanal, Enhancement-Modus Mosfet her. Das Teil ist ein dv/dt-bewerteter P-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus, der häufig in Anwendungen mit hohem Schaltvermögen eingesetzt wird. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei.

Vds ist 100 V, RDS(on) 1,8 Ω und Id ist 0,68 A

Maximale Verlustleistung ist 360 mW

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