Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 0.54 A 81 W, 3-Pin BSS670S2LH6433XTMA1 SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
BSS670S2LH6433XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.54A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

BSS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon stellt diese OptiMOS-Abwärtswandler-Serie im N-Kanal-Enhancement-Modus her. Sie ist Avalanche-getestet und halogenfrei.

VDS ist 55 V, Rds(on) ist 650 mΩ und Id ist 0,54 A

Halogenfrei

Maximale Verlustleistung ist 360 mW

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