onsemi NTB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
254-7661
Herst. Teile-Nr.:
NTBG022N120M3S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

NTB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

148nC

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Durchlassspannung Vf

4.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L


Die planaren SIC-MOSFETs der Serie NTB von ON Semiconductor sind optimiert für schnelle Schaltanwendungen mit einer planaren Technologie, die zuverlässig mit negativen Gate-Spannungsantrieben arbeitet und Spitzen am Gate abschaltet. Diese Familie bietet eine optimale Leistung, wenn sie mit einem 18-V-Gate-Antrieb betrieben wird, funktioniert aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Antrieb.

100 % Avalanche-geprüft Verbesserte Leistungsdichte Gate-Antriebsspannung 15 V bis 18 V

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