onsemi NTB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
254-7663
Herst. Teile-Nr.:
NTBG025N065SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

NTB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

4.5V

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

164nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L


Die Serie NTB von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

Verwendet in der Telekommunikation mit extrem niedriger Gate-Ladung, hoher Schaltgeschwindigkeit und niedriger Kapazität

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