Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 3.3 A 36 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
256-7272
Herst. Teile-Nr.:
IRF610SPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das D2PAK (TO-263) ist ein SMD-Leistungsgehäuse, das Matrizengrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse.

Oberflächenmontage

Erhältlich als Band und Rolle

Dynamische dV/dt-Nennleistung

Wiederholbare Lawinenbeständigkeit

Schnelles Schalten

Einfache Parallelstellung

Einfache Antriebsanforderungen

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