Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 24 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 256-7412
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB24N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
123,85 €
(ohne MwSt.)
147,40 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 950 Einheit(en) mit Versand ab 23. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,477 € | 123,85 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7412
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHB24N65E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.033Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.033Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay Semiconductor haben einen niedrigen Ron x Qg (FOM) und eine niedrige Eingangskapazität (Ciss).
Geringere Schalt- und Leitungsverluste
Extrem niedrige Gate-Ladung (Qg)
Avalanche-Energieeinstufung (UIS)
Verwandte Links
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 24 A SIHB24N65E-GE3 TO-263
- Vishay EF Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Vishay SIHB Typ N-Kanal 3-Pin SIHB085N60EF-GE3 TO-263
- Vishay EF Typ N-Kanal 3-Pin SIHB055N60EF-GE3 TO-263
- Vishay N-Kanal N-Kanal MOSFET 200 V / 90 A 375 W, 3-Pin TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SIHB120N60E-T5-GE3 TO-263
- Vishay E Typ N-Kanal 3-Pin SIHB120N60E-T1-GE3 TO-263
