Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 24 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
256-7412
Herst. Teile-Nr.:
SIHB24N65E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.033Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay Semiconductor haben einen niedrigen Ron x Qg (FOM) und eine niedrige Eingangskapazität (Ciss).

Geringere Schalt- und Leitungsverluste

Extrem niedrige Gate-Ladung (Qg)

Avalanche-Energieeinstufung (UIS)

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