Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 24 A 250 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
256-7413
Herst. Teile-Nr.:
SIHB24N65E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.145Ω

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

122nC

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 24 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHB24N65E-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine hohe Spannungsbelastbarkeit, ein hohes Gleichstromverhalten und eine kompakte Leiterplattenmontage erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• 650 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 24 A kontinuierlicher Ablassstrom für erhebliche Lastverarbeitung
• Rds(on) 0,145 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 250 W für hohe Wärmeleistung
• Der Vorwärtsabfall von Vf 1,2 V minimiert die Leitungsverluste der Diode
• Die Gate-Ladung von 122 nC unterstützt eine vorhersehbare Schaltleistung

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit LED-Treibern verwendet, die eine hohe Spannung erfordern
• Kann für die Leistungsfaktorkorrektur von Front-Ends verwendet werden
• Geeignet für Wechselrichter- und USV-Primärschaltelemente

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?


Das Gerät darf nicht über eine maximale Gate-to-Source-Spannung von 30 V hinaus betrieben werden, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden.

Wie wirkt sich die thermische Umgebung auf die Dauerstromfähigkeit aus?


Der angegebene kontinuierliche Ablassstrom setzt ein angemessenes Wärmemanagement voraus

ohne ausreichende Kühlkörper oder Leiterplatten-Wärmeleitungen wird die effektive Strombelastbarkeit reduziert, bevor die Verlustgrenze von 250 W erreicht wird.

Welche Befestigungsmethode ist für die Leiterplatten-Integration erforderlich?


Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, und sollte an ein Board-Pad-Layout gelötet werden, das für Wärmeleitfähigkeit an der Kupferplatte sorgt.

Welche extremen Umgebungstemperaturen kann das Gerät im Betrieb tolerieren?


Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.

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