Wolfspeed Typ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 36 A, 7-Pin TO-263-7
- RS Best.-Nr.:
- 248-8936
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0060065J
- Marke:
- Wolfspeed
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- RS Best.-Nr.:
- 248-8936
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0060065J
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263-7 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263-7 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Wolfspeeds Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET C3MTM MOSFET-Technologie bietet den N-Kanal-Enhancement-Modus. Die Wolfsgeschwindigkeiten Die Siliziumcarbid-Leistungs-MOSFETs Z-FetTM, C2MTM und C3MTM sind eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation von Cree's Power Division Wolfspeed, die branchenführende Leistungsdichte und Schaltleistung liefern. Diese Bauelemente mit geringer Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und haben einen geringeren Kühlungsbedarf, was die Betriebseffizienz des Gesamtsystems verbessert.
SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation
Gehäuse mit niedriger Induktivität mit Treiberquellenstift
7 mm Kletterabstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Blockierungsspannung bei geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedrigen Kapazitäten
Schnelle intrinsische Diode mit geringer Rückwärtsgewinnung (Qrr)
Halogenfrei, RoHS-konform
