Wolfspeed N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 36 A, 7-Pin TO-263-7
- RS Best.-Nr.:
- 248-8933
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0060065J
- Marke:
- Wolfspeed
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 248-8933
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0060065J
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 36 A | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gehäusegröße | TO-263-7 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 36 A | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gehäusegröße TO-263-7 | ||
The Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET C3MTM MOSFET Technology is in N-Channel Enhancement Mode. The wolfspeeds Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs is a range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
3rd Generation SiC MOSFET technology
Low inductance package with driver source pin
7mm of creepage distance between drain and source
High blocking voltage with low on-resistance
High speed switching with low capacitances
Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
Halogen free, RoHS compliant