Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 50 V / 1.1 A 1 W, 3-Pin HVMDIP

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
256-7282
Herst. Teile-Nr.:
IRFD9010PBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

HVMDIP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die P-Kanal-MOSFET-HVMDIPs von Vishay Semiconductor sind für den Einsatz in Leistungsstufen vorgesehen, in denen eine komplementäre Symmetrie mit N-Kanal-Geräten eine Vereinfachung des Stromkreises bietet. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HVMDIP-Designs erzielen einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in Kombination mit hoher Transkonduktivität und extremer Robustheit des Geräts.

Für automatisches Einsetzen

Kompakt, am Ende stapelbar

Schnelles Schalten

Niedriger Antriebsstrom

Einfache Parallelmontage

Ausgezeichnete Temperaturstabilität

Verwandte Links