Vishay IRFR9014 Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET -60 V / -5.1 A 25 W, 3-Pin TO-252

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein P-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagement in oberflächenmontierter Elektronik entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für kompakte Baugruppen, bei denen eine kontrollierte Gate-Ansteuerung und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind. Das Gerät wird in einem TO‐252-Gehäuse geliefert und entspricht den RoHS-Richtlinien.

• Die Ablassspannung von 60 V unterstützt Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• Der kontinuierliche Ablassstrom von -5,1 A ermöglicht eine moderate Lasthandhabung
• 0,5 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schwachlaststromkreisen
• Die typische Gate-Ladung von 12 nC ermöglicht eine schnellere Gate-Schaltung
• Maximale Verlustleistung von 25 W steuert die thermische Belastung in kompakten Layouts
• Die Gate-Toleranz von ±20 V bietet Flexibilität bei Gate-Drive-Anordnungen

• Geeignet für den Verpolungsschutz in Gleichstromsystemen
• Ideal für kleine Motorsteuerungs- und Antriebsstromkreise
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in kompakten Baugruppen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Unterhaltungselektronik verwendet werden
• Geeignet für Bias- und Polaritätsumschaltung in Sensor-Arrays

Sie ist für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten mit der dreipoligen TO-252-Grundfläche mit geeigneten Lötprofilen für die thermische Übertragung vorgesehen.

Die Komponente ist für den Betrieb bei bis zu +150 °C ausgelegt, was den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen und einem geeigneten Wärmemanagement ermöglicht.

Die Gate-to-Source-Spannung darf unter keinen Betriebsbedingungen ±20 V überschreiten, um eine Überbelastung durch Gate-Oxid zu verhindern.

Es entspricht nicht den Standards für die Automobilindustrie und sollte nicht als Ersatz für Kfz-kompatible Komponenten gelten.