Vishay SI2329DS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 6 A SOT-23-3 (TO-236)
- RS Best.-Nr.:
- 256-7347
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2329DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI2329DS-T1-GE3
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der P-Kanal von Vishay Semiconductor 8 V, 6 A (Tc), 2,5 W (Tc), SMD SOT-23-3 (TO-236), halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Definition.
TrenchFET Power Mosfet
100 % Rg-geprüft
Konform mit RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
100 % Rg-geprüft
Konform mit RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 8 V |
| Gehäusegröße | SOT-23-3 (TO-236) |
| Montage-Typ | SMD |
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