Vishay Si2329DS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -8 V / -6 A 2.5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 256-7347
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2329DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
13,275 €
(ohne MwSt.)
15,80 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.825 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,531 € | 13,28 € |
| 50 - 75 | 0,52 € | 13,00 € |
| 100 - 225 | 0,398 € | 9,95 € |
| 250 - 975 | 0,389 € | 9,73 € |
| 1000 + | 0,242 € | 6,05 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7347
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2329DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -8V | |
| Serie | Si2329DS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.12Ω | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Breite | 1.4mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -8V | ||
Serie Si2329DS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.12Ω | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Breite 1.4mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie Si2329DS von Vishay, -8 V maximale Drain-Source-Spannung, 0,12 Ω maximaler Drain-Source-Widerstand – SI2329DS-T1-GE3
Dieser P-Kanal-MOSFET funktioniert als kompaktes, oberflächenmontiertes Schaltgerät für Niederspannungselektronik. Er ist für Anwendungen vorgesehen, die eine effiziente P-Kanal-Steuerung in kompakten Layouts erfordern, und arbeitet in einer Umgebung mit negativer Drain-Quellenspannung, die typisch für P-Typ-Schalter ist. Das Gerät wird in einem dreileitenden SOT-23-Gehäuse geliefert, das für dichte Leiterplattenbaugruppen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,12 Ω ermöglicht reduzierte Leitungsverluste
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 6 A für moderate Lastströme
• Maximale Drain-Source-Spannung von -8 V ermöglicht Niederspannungsschaltung
• Gate-Toleranz bis zu 5 V für einfache Gate-Drive-Kompatibilität
• Typische Gate-Ladung 19,3 nC für schnelles Schalten mit geringerer Antriebsenergie
• Verlustleistung 2,5 W ermöglicht dauerhaftes Schalten unter Last
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 6 A für moderate Lastströme
• Maximale Drain-Source-Spannung von -8 V ermöglicht Niederspannungsschaltung
• Gate-Toleranz bis zu 5 V für einfache Gate-Drive-Kompatibilität
• Typische Gate-Ladung 19,3 nC für schnelles Schalten mit geringerer Antriebsenergie
• Verlustleistung 2,5 W ermöglicht dauerhaftes Schalten unter Last
Anwendungen
• Geeignet für das Schalten von High-Side-Lasten in Stromschienen
• Ideal für Batteriemanagement und Schutzschaltungen
• Wird mit Pegelwandlern in Steuersystemen mit gemischter Spannung verwendet
• Kann für Verpolungs- oder Umkehrstromschutz verwendet werden
• Geeignet für kompakte Stromverteilungsmodule in Automatisierungsanlagen
• Ideal für Batteriemanagement und Schutzschaltungen
• Wird mit Pegelwandlern in Steuersystemen mit gemischter Spannung verwendet
• Kann für Verpolungs- oder Umkehrstromschutz verwendet werden
• Geeignet für kompakte Stromverteilungsmodule in Automatisierungsanlagen
Welchen Betriebstemperaturbereich kann ich für einen zuverlässigen Betrieb erwarten?
Die Komponente ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit Kaltstart und erhöhter Temperatur.
Wie wirkt sich die Wahl des Gehäuses auf die thermische Leistung aus?
Das SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage und die Verlustleistung von 2,5 W erfordern ein sorgfältiges thermisches Design der Leiterplatte und thermische Leitungen, um die Sperrschichttemperatur unter kontinuierlicher Last aufrechtzuerhalten.
Welche mechanischen Grundflächenaspekte sind für dichte Baugruppen relevant?
Mit einer minimalen Höhe von 1,12 mm und kleinen Abmessungen ermöglicht das Gerät eine enge Platzierung von Komponenten bei gleichzeitiger Einfachheit der Dreipolverbindung.
Welche Normen oder Materialanforderungen werden für vorschriftenkonforme Konstruktionen erfüllt?
Die Komponente entspricht der RoHS-Richtlinie und den IEC 61249-2-21-Materialspezifikationen für die Kompatibilität mit Leiterplattenlaminen.
